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安森美半導體基于SiC的混合IGBT 和隔離型大電流IGBT門極驅動器將在歐洲PCIM 2019推出

來源: 網站管理員
2019/04/30 17:11:03 已瀏覽:

歐洲PCIM 2019,5月7日至9日,德國紐倫堡,9號館330號展位

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安森美半導體基于SiC的混合IGBT

和隔離型大電流IGBT門極驅動器將在歐洲PCIM 2019推出

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展示針對強固電源應用的混合IGBT和廣泛的IGBT驅動器,

提供同類的電流性能和保護特性

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2019年4月30?— 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),將于5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅動器

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AFGHL50T65SQDC采用的場截止IGBT和SiC肖特基二極管技術,提供低導通損耗和開關損耗,用于多方面的電源應用,包括那些將得益于更低反向恢復損耗的應用,如基于圖騰的無橋功率因數校正(PFC)和逆變器。

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該器件將硅基IGBTSiC肖特基勢壘二極管共同封裝,從而硅基方案的低性能和完全基于SiC方案的高成本之間提供的權衡。該高性能器件額定工作電壓650 V,能夠處理高達100 [email protected]?°C (50?[email protected]?°C)的連續電流,以及高達200 A的脈沖電流對于需要更大電流能力的系統,正溫度系數并行工作更便。

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現代電動汽車的應用不僅利用能行駛,在某些情況下還儲存能量,以便在高峰時期為家庭供電。這需要一個雙向充電器,必須有高的開關效率,以確保轉換時不浪費能量。在這種情況下,集成外部SiC二極管IGBT比MOSFET方案提供高能效,因為沒有相關的正向或反向恢復損

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AFGHL50T65SQDC可在高達175?°C的結溫下工作,適用于包括汽車在內的嚴苛的電源應用。它完全符合AEC-Q 101認證,進一步證明其適用于電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV) 車載充電機。

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除了新的混合IGBT,安森美半導體還將在PCIM推出并展示一系列新的隔離型大電流IGBT驅動器。NCD(V)57000系列針對多種電源應用,包括太陽能逆變器、電機驅動、不間斷電源系統(UPS)和汽車應用動力總成和PTC加熱器

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NCD(V)57000系列是大電流單通道IGBT驅動器,內置伽伐尼安全隔離設計,以在要求高可靠性的電源應用中提供高能效工作。該器件具有輸入互補、漏極開路故障和輸出準備就緒、有源米勒鉗、精確欠壓鎖定(UVLO)、軟關斷去飽和(DESAT)保護、負門極電壓引腳和單獨的、低驅動輸出等特點,為系統設計提供靈活性。

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該器件的伽伐尼隔離額定值大于5?kVrms,滿足UL 1577的要求,工作電壓高于1200 V,保證8 mm爬電距離(輸入>輸出)以滿足強化的安全隔離要求。NCD(V)57000器件可提供7.8?A驅動電流和7.1 A汲電流能力,是某些競爭器件的三倍。更重要的是,它們具有在米勒坦區工作時更的電流能力,同時結合其的保護特性,使它們成為同類的IGBT驅動器。

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關于安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor美國納斯達克上市代號:ON)致力于推動高能效電子的創新,使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體于供應基于半導體的方案,提供全面的高能效電源管理、模擬、傳感器、邏輯、時序、互通互聯、分立、系統單芯片(SoC)及定制器件陣容。公司的產品幫助工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業、醫療、航空及國防應用的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界的供應鏈及品質項目,一套強有力的守法和道德規范計劃,及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網絡。更多信息請訪問http://www.onsemi.cn

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